Типичная структура оптического ПЗУ: лазер (Аг, He, Ne и др.) — дискретный дефлектор (реализующий произвольную адресную выборку голограмм) — накопитель — фотоприёмная матрица (для вывода данных).В некоторых системах на одну ячейку, отводимую для субголограммы, записывается несколько голограмм (опорные пучки направляются под различными углами). Это позволяет в десятки раз увеличить общую емкость. Применяются различные варианты структуры и различные способы записи голограмм. В частности, фазовые голограммы дают большую дифракционную эффективность или КПД, чем амплитудные (27% вместо 4%).

Подробнее «Структура оптического ПЗУ» →

Если электрооптический кристалл обладает фотопроводностью (например, кристалл BijSiOjo), то конструкций ОУТ существенно изменяется. Кристалл с обеих сторон покрыт тонкими диэлектрическими слоями (Д) и прозрачными электродами (ПМЭ). Записывающий свет — синий (420 нм), создающий фотопроводимость и потенциальный рельеф и вместе с ним — рельеф показателя преломления. Модулируемый (считывающий) свет — красный (630 нм), не разрушающий и не создающий фотопроводимость, т. е. сохраняющий записанную картину. Вся система работает на просвет.

Подробнее «Работа с электрооптическим кристалом» →

В дефлекторах света реализуется основное преимущество оптоэлектроники — двумерность оптического сигнала. Наибольшее распространение получили дефлекторы на основе электрооптического эффекта аналогового и дискретного типа. В аналоговых приборах угол отклонения луча есть функция приложенного напряжения. Пример — призма из электрооптического материала. Работа прибора не требует объяснений. К этому же типу приборов относится дефлектор на основе многолучевого интерферометра Фабри—Перо, изготовленного из электрооптического материала. При наложении поля меняется положение сфокусированного луча. Из-за наличия многих лучей и меняющихся фазовых соотношений между ними не все положения выходного луча разрешены.

Подробнее «Дефлекторы» →

В настоящее время разрабатываются управляемые транспаранты на основе жидких кристаллов и поликристаллической сегнетокерамики. Отметим в заключение, что пока не найден принцип действия универсального УТ, удовлетворяющего современным требованиям оптоэлектронных систем.

Подробнее «Управляемые транспаранты» →

В 1963 г. в полупроводниковых инжекционных лазерах и на арсениде галлия и в стеклянных лазерах с ионами неодима было открыто явление тушения генерации одного лазера когерентным светом другого (той же длины волны). Через активную область лазера, генерирующего свет в определенном направлении (зависящем от расположения резонатора), пропускался когерентный свет в другом направлении (обычно в перпендикулярном).

Подробнее «Системы на основе взаимного влиянии лазеров» →

В нашей стране также освоен промышленный выпуск оптронов. Таким образом, оптроника уже в настоящее время демонстрирует мощь и перспективу оптоэлектроники. Здесь мы кратко изложим только основные вопросы.В качестве источников излучения наибольшее распространение получили уже описанные ранее некогерентные инжекционные светодиоды на основе GaAs, GaAsP, GaAlAs. Указанные излучатели хорошо согласуются по спектру и по быстродействию с кремниевыми фотоприемниками. Инжекционные лазеры на основе этих же материалов не дают в оптронах никаких преимуществ.

Подробнее «Излучатели» →

Изменение (модуляция) какого- либо параметра светового луча с помощью электрического сигнала есть перенос информации в луч. Следовательно, модуляторы — важнейшие элементы оптоэлектронных устройств.

Подробнее «Модуляторы света» →

Другой тип элемента с зарядовой памятью — фототриод. Это трехэлектродная система на основе кремния, на котором создан двухслойный диэлектрик, состоящий из тонкого (до 10 нм) слоя SiOi и более толстого (до 200 нм) слоя. Обычно такая система содержит металлический управляющий электрод. Здесь он заменен фотопроводником, при освещении которого и подаче на него импульса высокого напряжения на границе двух диэлектриков образуется встроенный заряд, изменяющий ток по кремнию, причем это изменение сохраняется сколь угодно долго. Стирание производится импульсом противоположной полярности. Матрица из таких элементов и составляет реверсивную среду.

Подробнее «Фототриод» →

В этой статье будут описаны только наиболее перспективные типы источников света, применяемые для современной оптоэлектроники. Из некогерентных источников перспективны светодиоды па p-n переходах, из когерентных — ниже секционные лазеры на гомо и гетеропереходах в полупроводниках и газовые лазеры.

Подробнее «Типы источников света» →

Физический принцип действия светодиодов, созданных на основе p-n переходов, хорошо известен. Их внутренняя квантовая эффективность близка к 100%.

Подробнее «Физический принцип действия светодиодов» →