Коротко опишем современные подходы к решению задачи по созданию оперативной оптической памятью. Перспективным представляется эффект «замороженной» фотопроводимости. Он наблюдается на поликристальных пленках CdS, ZnO и др., на монокристаллах GaAs с глубокими уровнями и др. Его проявление состоит в длительном (годы) сохранении фотопроводимости при выключении освещения, с сохранением высокого отношения фототока к темновому току, а сущность связана с механизмами резкой задержки процессов рекомбинации.

Проводимость сохраняется при отключений питания. Стирание тепловое или при приложении сильного электрического поля. Сочетание замороженной фотопроводимости с электролюминесценцией позволит создать среду, в которой картина памяти становится видимой (визуализованной).

Ряд разработок реверсивных сред связан с «зарядовой памятью». Имеется в виду создание встроенного заряда в структуре, который локализуется на энергетически глубоких центрах и создает сильное встроенное поле, изменяющее оптические свойства среды или состояние проводимости элемента. Это осуществляется, в частности, на эффекте Франца—Келдыша.

Поскольку сильное поле практически снимает экситонное поглощение света в некоторых полупроводниковых пленках (CdS, CdSe, РЫ2 и др.), то, создавая «сандвич» из подобной пленки и диэлектрической пленки, можно создать освещением на их границе встроенный заряд и, следовательно, «просветлить» полупроводниковую пленку с сохранением этого состояния.

Описанная двухслойная реверсивная среда обладает хорошими параметрами: разрешение до 1000 линий/мм, чувствительность 107 Дж/см2, время цикла записи—считывания—стирания менее 10 мкс. Недостатки — необходимость низкой температуры и ограниченное число циклов.