Другой тип элемента с зарядовой памятью — фототриод. Это трехэлектродная система на основе кремния, на котором создан двухслойный диэлектрик, состоящий из тонкого (до 10 нм) слоя SiOi и более толстого (до 200 нм) слоя. Обычно такая система содержит металлический управляющий электрод. Здесь он заменен фотопроводником, при освещении которого и подаче на него импульса высокого напряжения на границе двух диэлектриков образуется встроенный заряд, изменяющий ток по кремнию, причем это изменение сохраняется сколь угодно долго. Стирание производится импульсом противоположной полярности. Матрица из таких элементов и составляет реверсивную среду.

Широко исследуется термомагнитная реверсивная память. Намагниченная ферромагнитная пленка (MnBi, EuO, EuS, YsFegOia и др.) локально нагревается, и в этом месте меняется направление намагниченности. Это чувствует считывающий луч, работающий на отражение, в котором поворачивается плоскость поляризации.(эффект Керра). Разработаны лабораторные макеты магнитной среды.

Упомянем далее о среде, работающей на принципе оптического повреждения. В ряде кристаллов (например, LiNb03) при освещении, вследствие перезарядки примесных центров (Fe), изменяется показатель преломления. При локальном освещении можно, следовательно, создать картину фазовой памяти. Этот эффект использован для записи фазовых голограмм.