В нашей стране также освоен промышленный выпуск оптронов. Таким образом, оптроника уже в настоящее время демонстрирует мощь и перспективу оптоэлектроники. Здесь мы кратко изложим только основные вопросы.В качестве источников излучения наибольшее распространение получили уже описанные ранее некогерентные инжекционные светодиоды на основе GaAs, GaAsP, GaAlAs. Указанные излучатели хорошо согласуются по спектру и по быстродействию с кремниевыми фотоприемниками. Инжекционные лазеры на основе этих же материалов не дают в оптронах никаких преимуществ.

В видимой области используются излучатели на основе светодиодов GaP, GaAsP и SiC. Они спектрально согласуются с фоторезисторами на основе CdS и CdSe, но инерционность фоторезисторов не позволяет использовать быстродействие светодиодов.

В качестве фотоприемников наибольшее распространение получили кремниевые структуры с переходами, а именно фотодиоды, фототранзисторы и фототиристоры.

Часто в оптронах на приемной стороне используются составные структуры: транзисторная схема Дарлингтона, фотодиод с высокочастотным транзистором, фотодиод с тиристором и т. д.