В этой статье будут описаны только наиболее перспективные типы источников света, применяемые для современной оптоэлектроники. Из некогерентных источников перспективны светодиоды па p-n переходах, из когерентных — ниже секционные лазеры на гомо и гетеропереходах в полупроводниках и газовые лазеры.

Сохраняют свое значение и совершенствуются электролюминесцентные пленки на основе материалов (например, ZnS), работающие в пред пробойном режиме. Растет роль катодолюминесценции ввиду гибкости управления электронным лучом.

Светодиоды изготовляют в основном на основе p-n переходов в материалах, на основе золота и их твердых растворах. Кроме того, для получения более коротковолнового излучения используется SiC. Выбор материалов обусловлен, прежде всего, величиной запрещенной зоны (от 1,3 до 3 эв), что дает нужную волну излучения, рассчитанную на существующую чувствительность наиболее распространенных фотоприемников (кремниевых). Варьируя составы твердых растворов, можно плавно изменять излучаемую длину волны (в максимуме спектральной характеристики излучения).

Соединения на основе берилия интересны еще и тем, что в них с помощью легирования можно создавать p-n переходы как методом диффузии и ионной имплантации, так и наращиванием легированных эпитаксиальных слоев (газофазным и жидкофазным способом). Таким образом, технология светодиодов близка к стандартной микроэлектронной технологии.

В последнее время для создания светодиодов используют гетеропереходы. Освоен также выпуск интегральных матриц светодиодов.