Кремниевые фотодиоды при ускорении в сильном поле приобретают способность к ударной ионизации с образованием лавин. В лавинный режим ставятся также фотодиоды Шотки и МДП-структуры. Внутреннее усиление до 10s.

Очень естественно, что наряду с фотодиодами широко используются фототранзисторы. По существу, принцип работы сохраняется и добавляется внутреннее усиление (до 102). Поэтому фототранзисторы представляют собой универсальные фотоприемники для оптоэлектронных систем.

МДП-системы близки по параметрам к фотодиодам. Используются также фототиристоры. Обладая несколько меньшим быстродействием по сравнению с диодами транзисторами, они полезны для создания ключевых устройств с памятью. Упомянем в заключение, что перспективными фотоприемниками становятся канальные фототриоды.

Диодные и транзисторные фотоматрицы выполняют по интегральной технологии. Их схемные решения (запись, считывание, сканирование, выборка) и топология определяются конкретной задачей. Число элементов в матрице порядка 100X100.

Итак, разработка фотоприемников для оптоэлектронных систем продвинута достаточно далеко, и налажен промышленный выпуск приборов.